Samsung начала серийный выпуск 3Гб RAM
Предположение о том, что в новом Samsung Galaxy Note III будет 3Гб оперативной памяти нашло подтверждение. В среду 24 июля Samsung объявила о старте серийного выпуска чипов памяти для смартфонов LPDDR3 объемом 3 Гбайта. Соответственно, в ближайшие месяцы стоит ожидать появления смартфонов с этими чипами памяти. Напомним, что ранее о планах выпуска таких смартфонов заявляла LG и Samsung.
По данным пресс-релиза новые чипы памяти обладают теми же характеристиками, что и 2Гб аналоги - большей быстротой отклика, поддержкой технологии LTE-A и сниженным энергопотреблением, по сравнению с предыдущим поколением памяти стандарта LPDDR2. Использование новых чипов обеспечит производителям смартфонов возможность более рационально использовать внутреннее пространтсво аппаратов, создавать более тонкие модели или использовать освободившийся объем для аккумуляторов.
Если говорить о цифрах, новый модуль памяти состоит из шести 20-нанометровых чипов толщиной около 0,8мм. Скорость передачи данных нового модуля - до 2133 мбит\с на каждый контакт. Иными словами, новая память LPDDR3 более чем в два раза превосходит по скорости свой предыдущий стандарт LPDDR2.